Transistor efek–medan

Saka Wikipédia Jawa, bauwarna bébas abasa Jawa
High-power N-channel field-effect transistor
I–V characteristics and output plot of a JFET n-channel transistor.

Cithakan:Infobox komponèn elektronik Transistor efek–medan (FET) inggih punika salah satunggaling jinis transistor ngginaakèn medan listrik kanggé ngèndaliakèn konduktifitas suatu kanal saking jinis pembawa momotan tunggal ing bahan semikonduktor. FET kadang-kadang dipunsèbat minangka transistor ekakutub kanggé mbèntnèakèn operasi pembawa momotan tunggal ingkang dipunlmapahi kaliyan operasi kalih pembawa momotan ing transistor dwikutub (BJT).

Sajarah[besut | besut sumber]

Transistor efek–medan dipunciptakakèn déning Julius Edgar Lilienfeld ing taun 1925 lan déning Oskar Heil ing taun 1934, ananging peranti praktis boten dipundamèl kanthi masal nagntos taun 1990-an.

Saluran[besut | besut sumber]

Sdèaya FET gadhah sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) lan sumber (source) ingkang kintèn-kintèn sami kaliyan basis, kolektor lan emitor ing BJT. Sanèsipun JFET, sedaya FET ugi gadhah saluran kaping sèkawan ingkang dipunnamani badan, dhasar utawi substrat. Saluran kaping sèkawan punika nglayani kegunaan teknis ing pemanjaran transistor kedalam titik operasi. Terminal punika sangat jarang dipunginaakèn ing desain sirkuit, ananging keberadaanipun punika wigati ngrancang penataan sirkuit terpadu.

Irisan MOSFET tipe-n

Asma-asma saluran ing FET mengacu ing fungsinipun. Saluran gerbang saged dipunanggep dados pengontrol buka-tutup saking gerbang sesungguhipun. Gerbang punika ngizinaken elektron kanggé ngalir utawi ncegah kaliyan ndamel lan mengikangkan sebuah kanal ing antawisipun sumber lan cerat. Elektron ngalir saking sumber nuju ing saluran cerat manawi wonten tegangan ingkang dipunparingake. Badan punika seluruh semikonduktor dhasar ing pundhi gerbang, sumber lan cerat dipunpanggenaken. Limrahipun saluran badan dipunsambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah ing sirkuit, gumantung ing tipenipun. Saluran badan lan saluran sumber biasanipun dispunambungaken amargisumber biasanipun dispunambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah saking sirkuit, ananging wonten pinten-pinten penggunaan saking FET ingkang boten kadasta makaten , kadasta sirkuit gerbang transmisi lan kaskoda.

Komposisi[besut | besut sumber]

Depletion-type FETs under typical voltages. JFET, poly-silicon MOSFET, double-gate MOSFET, metal-gate MOSFET, MESFET.  depletion ,  electrons ,  holes ,  metal ,  insulator . Top=source, bottom=drain, left=gate, right=bulk. Voltages that lead to channel formation are not shown

FET saged dipundamel saking pinten-pinten semikonduktor, silikon dados ingkang paling umum. FET ing limrahipun dipundamel kaliyan prosès pembuatan semikonduktor borongan, ngginakaken lapik semikonduktor kristal tunggal minangka daerah aktif, utawi kanal. Ing antawisipun bahan badan ingkang boten lajim inggih punika amorphous silicon, polycrystalline silicon lan OFET ingkang dipundamel saking semikonduktor organik lan asring ngginakaken isolator gerbang d\lan elektrode organik. Ing moda punika, FET kanggé kadasta sebuah resistor variabel lan FET ngendika beroperasi ing moda linier utawi moda ohmik[1][2] Manawi tegangan cerat-ke-sumber mundhak, punika ndamel owah-owahan wujud kanal ingkang signifikan lan taksimetrik amargi gradien tegangan saking sumber ing cerat. Wujud saking daerah pembalikan dados kurus dekat ujung cerat saking kanal. Manawi tegangan cerat-ke-sumber dipuntingkataken lajengipun, titik kurus dari kanal wiwit bergerak dari cerat menuju ke sumber. Pada keadaan ini, FET ngendika ing moda penjenuhan,[3] pinten-pinten tiyang nyebataken moda aktif, kanggé nganalogikan kaliyan tlatah operasi transistor dwikutub.[4][5]

Jinis-jinis transistor efek medan[besut | besut sumber]

Kanal ing FET sampun didoping kanggé ndamel saé semikonduktor tipe-n utawi semikonduktor tipe-p. Ing FET moda pengayaan, cerat lan sumber dipundamel bènten tipe kaliyan kanal, manawi ing FET moda pemiskinan dipundamel setipe kaliyan kanal. FET ugi dipunbentenaken adhedhasar metoda pengisolasian ing antawisipun gerbang lan kanal. Jinis-jinis dari FET adalah:

Cathetan suku[besut | besut sumber]

  1. ^ C Galup-Montoro & Schneider MC (2007). MOSFET modeling for circuit analysis and design. London/Singapore: World Scientific. k. 83. ISBN 981-256-810-7. 
  2. ^ Norbert R Malik (1995). Electronic circuits: analysis, simulation, and design. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall. kk. 315–316. ISBN 0-02-374910-5. 
  3. ^ RR Spencer & Ghausi MS (2001). Microelectronic circuits. Upper Saddle River NJ: Pearson Education/Prentice-Hall. k. 102. ISBN 0-201-36183-3. 
  4. ^ A. S. Sedra and K.C. Smith (2004). Microelectronic circuits (ed. Fifth Edition). New York: Oxford. k. 552. ISBN 0-19-514251-9. 
  5. ^ PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer (2001). Analysis and design of analog integrated circuits (ed. Fourth Edition). New York: Wiley. kk. §1.5.2 p. 45. ISBN 0-471-32168-0. 

Pranala njaba[besut | besut sumber]

Cithakan:Transistor