Transistor efek–medan
 |
Artikel punika pinuju ngalami éwah-éwahan ageng ngantos 28 Pebruari 2013 Kanggé nyegah konflik panyuntingan, nyuwun tulung supados boten nyunting artikel punika nalika pesen punika taksih wonten. Kaca punika pungkasan dipunsunting déning Legobot (Kontrib • Log) 64 dinten 690 menit kapungkur. |
|
|
Artikel pelatihan Papat Limpad 2012 punika perlu dipunrapèkaken supados miturut dhumateng standhar Wikipédia |
Cithakan:Infobox komponen elektronik Transistor efek–medan (FET) inggih punika salah satunggaling jenis transistor ngginaakèn medan listrik kanggè ngèndaliakèn konduktifitas suatu kanal saking jenis pembawa muatan tunggal ing bahan semikonduktor. FET kadang-kadang dipunsèbat minangka transistor ekakutub kanggè mbèntnèakèn operasi pembawa muatan tunggal ingkang dipunlmapahi kaliyan operasi kalih pembawa muatan ing transistor dwikutub (BJT).
Bab lan Paragraf |
Sejarah [sunting]
Transistor efek–medan dipunciptakakèn dèning Julius Edgar Lilienfeld ing taun 1925 lan dèning Oskar Heil ing taun 1934, ananging peranti praktis mbotèn dipundamèl secara masal nagntos taun 1990-an.
Saluran [sunting]
Sdèaya FET nggadahi sebuah saluran gerbang (gate), cerat (drain) lan sumber (source) ingkang kintèn-kintèn sami kaliyan basis, kolektor lan emitor ing BJT. Sanèsipun JFET, sèdaya FET ugi nggadahi saluran kaping sèkawan ingkang dipunasmani badan, dasar utawi substrat. Saluran kaping sèkawan punika nglayani kegunaan teknis ing pemanjaran transistor kedalam titik operasi. Terminal punika sangat jarang dipunginaakèn ing desain sirkuit, ananging keberadaanipun menika wigati ngrancang penataan sirkuit terpadu.
Asma-asma saluran ing FET mengacu ing fungsinipun. Saluran gerbang saged dipunanggep dados pengontrol buka-tutup saking gerbang sesungguhipun. Gerbang punika ngizinaken elektron kangge ngalir utawi ncegah kaliyan ndamel lan mengikangkan sebuah kanal ing antawisipun sumber lan cerat. Elektron ngalir saking sumber nuju ing saluran cerat menawi wonten tegangan ingkang dipunparingake . Badan menika seluruh semikonduktor dasar ing pundhi gerbang, sumber lan cerat dipunpanggenaken. Biasanipun saluran badan dipunsambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah ing sirkuit, gumantung ing tipenipun. Saluran badan lan saluran sumber biasanipun dispunambungaken amargisumber biasanipun dispunambungaken ing tegangan ingkang inggil utawi terendah saking sirkuit, ananging wonten pinten-pinten penggunaan saking FET ingkang mboten kadasta mekaten , kadasta sirkuit gerbang transmisi lan kaskoda.
Komposisi [sunting]
FET saged dipundamel saking pinten-pinten semikonduktor, silikon dados ingkang paling umum. FET ing umumipun dipundamel kaliyan proses pembuatan semikonduktor borongan, ngginaaken lapik semikonduktor kristal tunggal minangka daerah aktif, utawi kanal. Ing antawisipun bahan badan ingkang mboten lazim inggih punika amorphous silicon, polycrystalline silicon lan OFET ingkang dipundamel saking semikonduktor organik lan asring ngginaaken isolator gerbang d\lan elektrode organik. Ing moda punika, FET kangge kadasta sebuah resistor variabel lan FET ngendika beroperasi ing moda linier utawi moda ohmik[1][2] Menawi tegangan cerat-ke-sumber ningkat, punika ndamel perubahan bentuk kanal ingkang signifikan lan taksimetrik amargi gradien tegangan saking sumber ing cerat. Bentuk saking daerah pembalikan dados kurus dekat ujung cerat saking kanal. Menawi tegangan cerat-ke-sumber dipuntingkataken lajengipun, titik kurus dari kanal mulai bergerak dari cerat menuju ke sumber. Pada keadaan ini, FET ngendika ing moda penjenuhan,[3] pinten-pinten tiyang nyebataken moda aktif, kangge nganalogikan kaliyan tlatah operasi transistor dwikutub.[4][5]
Jenis-jenis transistor efek medan [sunting]
Kanal ing FET sampun didoping kangge ndamel sae semikonduktor tipe-n utawi semikonduktor tipe-p. Ing FET moda pengayaan, cerat lan sumber dipundamel benten tipe kaliyan kanal, menawi ing FET moda pemiskinan dipundamel setipe kaliyan kanal. FET ugi dipunbentenaken adedasar metoda pengisolasian ing antawisipun gerbang lan kanal. Jenis-jenis dari FET adalah:
- MOSFET (Metal–Oxide–Semiconductor FET, FET Semikonduktor–Oksida–Logam) ngginaaken isolator (biasanipun SiO2) ing antawisipun gerbang lan badan.
- JFET (Junction FET, FET Pertemuan) ngginaaken sambungan p-n ingkang dipanjar kawalik kangge misahaken gerbang saking badan.
- MESFET (Metal–Semiconductor FET, FET Semikonduktor–Logam) nggantos sambungan p-n ing JFET kaliyan sawar Schottky, dipunginaaken ing GaAs lan bahan semikonduktor sanesipun.
Cathetan Suku [sunting]
- ^ C Galup-Montoro & Schneider MC (2007). MOSFET modeling for circuit analysis and design. London/Singapore: World Scientific. pp. 83. ISBN 981-256-810-7. http://worldcat.org/isbn/981-256-810-7.
- ^ Norbert R Malik (1995). Electronic circuits: analysis, simulation, and design. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall. pp. 315–316. ISBN 0-02-374910-5. http://worldcat.org/isbn/0-02-374910-5.
- ^ RR Spencer & Ghausi MS (2001). Microelectronic circuits. Upper Saddle River NJ: Pearson Education/Prentice-Hall. pp. 102. ISBN 0-201-36183-3. http://worldcat.org/isbn/0-201-36183-3.
- ^ A. S. Sedra and K.C. Smith (2004). Microelectronic circuits (Fifth Edition ed.). New York: Oxford. pp. 552. ISBN 0-19-514251-9. http://worldcat.org/isbn/0-19-514251-9.
- ^ PR Gray, PJ Hurst, SH Lewis & RG Meyer (2001). Analysis and design of analog integrated circuits (Fourth Edition ed.). New York: Wiley. pp. §1.5.2 p. 45. ISBN 0-471-32168-0. http://worldcat.org/isbn/0-471-32168-0.
Pranala Njaba [sunting]
